热设计网

PbSe材料实现73.3K最大制冷温差

热设计

01 背景介绍


热电制冷技术是一种利用帕尔帖效应直接将电能转换为热能的绿色制冷技术,仅通过调节工作电压和电流就可以实现对制冷量和温度的连续高精度控制(图1A)。热电制冷技术由于其控温精准、尺寸灵活、结构多样和局部冷却等众多优势,在精确制导、传感器和5G光模块等关键领域具有比其它制冷技术更强的竞争优势。因此,研发高效的制冷材料及器件,对于诸多科技自立自强等关键领域的精确温控具有重要意义(图1B)。

1.png

图1. (A) Peltier电子制冷示意图;(B) 基于半导体制冷的精准控温装置

器件的制冷效率主要由材料的无量纲热电性能优值(ZT值)决定。由ZT值的定义ZT=(S2σ/κ)T 可知,在给定温度T下,高性能材料应具有大的温差电动势S(产生大的电压),高的电导率σ(减小焦耳热损耗)和低的热导率κ(产生大的温差)。然而各个物理参数之间的复杂联系形成了紧密的声子-电子耦合关系,使得热电材料的性能优化极其具有挑战性,调控这些强烈耦合的复杂热电参数是提高材料ZT值和制冷效率的关键。

目前,以碲化铋(Bi2Te3)为基体的材料体系仍为唯一可应用的热电制冷材料,然而Te元素的地壳稀缺程度等同于白金,并受到冷却能力不理想的限制。因此探索和开发新型热电制冷材料及器件至关重要。

02 成果掠影

赵立东教授课题组长期致力于开发新型热电材料和高效制冷器件,经筛选研究发现SnSe晶体具有优异应用潜力【Nature 508 (2014) 373-377;Science 351 (2016) 141-144】,并可成为新一代绿色制冷材料。2021年,课题组发现并利用了多能带的Synglisis效应(调控动量空间和能量空间),实现了P型SnSe晶体室温热电性能的大幅提升,基于P型SnSe晶体的热电器件能够实现 ~ 45.7K的最大制冷温差,这一数值可以达到商用Bi2Te3基制冷器件的70%【Science 373 (2021) 556-561】。2022年,该课题组提出了基于成分和工艺调控的“栅格化”策略,通过调控材料的本征缺陷可获得更高的迁移率和近室温热电制冷性能【Science 378 (2022) 832-833】。2023年,该课题组成功验证了“栅格化”策略,在P型SnSe晶体中引入微量的Cu来填充本征Sn空位,通过“晶格素化”策略实现了超高电传输性能(利于低功耗),其热电制冷器件在热端温度(Th)为室温下能够实现~ 61.2 K的制冷温差,制冷性能已接近P型商用Bi2Te3【Science 380 (2023) 841-846】。

相对而言,可以取代商用Bi2Te3的N型热电制冷材料研究进展缓慢。

2.jpg

2024年3月15日,北京航空航天大学材料科学与工程学院赵立东教授课题组在热电半导体制冷材料及器件研究上取得的最新进展。该工作提出了一种“grid-plainification(栅格素化)”概念,通过使用物理气相沉积(PVD)生长晶体的方法,以及填补硒化铅(PbSe)晶格中的Pb空位,大幅削弱了晶格缺陷对载流子的散射,实现了载流子迁移率的显著提升。制备的热电器件在室温下实现了73.3K的最大制冷温差,并在420K温差下实现了11.2%的发电效率。

本工作主要的研究基于提出的“栅格化”策略和“晶格素化”概念,通过调控N型PbSe晶体中的本征缺陷,改善了载流子迁移率,实现了高效率电子制冷。通过物理气相沉积(PVD)生长晶体的方法来制备出高质量的PbSe晶体,以及在PbSe晶体中额外引入微量的Pb,观察到了PbSe晶格中的本征Pb空位被填补,其对应的点缺陷散射被削弱,从而有利于载流子迁移率的显著增加(图2)。在室温下实现了~ 52 μW cm-1 K-2的超高电传输性能,以及室温ZT值~ 0.9和平均ZT值~ 1.4(300-673K),研究表明N型PbSe晶体在“发电”和“制冷”两个关键领域均有巨大潜力。

研究成果以“Grid-plainification enables medium-temperature PbSe thermoelectrics to cool better than Bi2Te3”为题发表于《Science》文章第一作者为秦永新(博士后)、秦炳超(博士后),赵立东教授、张霄副教授为通讯作者。

这也是赵立东教授自2015年以来发表的第9篇Science 研究论文。

相关阅读

连发6篇Science,赵立东等团队热电制冷材料新进展

晶格素化推动了高效的SnSe晶体热电制冷技术


Science同期还刊登了奥地利科学与技术研究院Maria Ibáñez教授的观点论文 “ Electron highways are cooler ”,以Highlight形式对本工作进亮点报道。文中多次使用 “superior”,“outstanding” ,“far beyond ” 等表述,对本项研究工作给予了高度评价。

03 图文导读

3.jpg

图2. 通过Pb空位自补偿(栅格素化)策略实现了载流子迁移率的大幅提升。


硒化铅(PbSe)一直被认为是传统碲化铅(PbTe)在中温发电领域的一种有效且无碲的替代品。在网格设计策略的指导下,作者引入了少量额外的Pb来补偿固有的Pb空位,使PbSe晶格固定,从而大大削弱了缺陷对载流子的散射,进一步提高了载流子迁移率。在引入过量 0.4 mol% 的铅后,电传输性能(PF)在很宽的温度范围内得到了优化,300 K时的最大 PF值超过了 52 μW cm-1 K-2(图 3A)。PF 值以及适度较低的本征热导率有助于在整个温度范围内实现超高的 ZT 值(图 3B)。

从 300 K到 673 K的 ZT曲线说明了 n型 PbSe晶体作为热电冷却器的潜力(图 3B)。作者构建了一个由 p型 SnSe和 n型 PbSe晶体组成的七对冷却装置,在接近环境温度时产生的最大冷却温差 ΔTmax为~73 K(图3C)。在较高的热端温度(Th=343 K)下,ΔTmax 变为 ~95 K。此器件计算得出的性能系数(COP)优于基于Bi2Te3的商用器件和最近开发的基于 Mg3(Bi,Sb)2 的热电冷却器件(图3D),这表明硒化物热电冷却器在实际应用中具有降低功耗的潜力。

4.jpg

图3. 通过调控组合的格网化策略。


为了将 p型 PbSe 转换为 n型传导,引入了少量的铜作为供体掺杂剂,并选择 PbCu0.0008Se 作为后续研究的基质。作者采用了物理气相沉积(PVD)和网格设计策略建议的铅自补偿。然后,获得了完全致密的高质量 Pb1+xCu0.0008Se 晶体(x=0-0.005)。通过网格设计策略引入额外的铅,使晶格明显固定并促进载流子传输,从而提高了电气性能(图4)。


5.jpg

图4. 添加 0.08 mol % Cu 的 n 型 Pb1+xSe 晶体的载流子传输性能。


为了研究和验证 PbSe 基体中少量Pb 原子的作用,作者对 PbSe 和 Pb1.004Se 晶体进行了原子尺度的扫描透射电子显微镜(STEM)表征。(图5A 至 C)显示了 PbSe 的显微照片和原子图像,(图5D 至 F)显示了 Pb1.004Se 晶体在相同放大倍率下的图像。沿 PbSe [110] 方向的环形明场 (ABF) -STEM 图像(图5A)显示基质中存在许多对比度较暗的区域。图5C 插图中的线剖面图所示,三个中间 Pb 原子相对强度的降低表明对比度较暗的区域对应于 Pb 空位,这清楚地验证了基质 PbSe 晶体中存在固有 Pb 空位。过量的铅原子有效地填充了基体中的铅空位,从而大大降低了缺陷浓度,提高了载流子迁移率。


6.jpg

图5. 添加0.08 mol% Cu的PbSe和Pb1.004Se晶体的微观结构表征。


超高 ZT 值不仅在接近环境温度时实现,而且在高温下也能实现。n 型 PbSe 晶体有可能成为有效的热电冷却候选材料。此外,即使采用 PVD 方法生长的 Pb1.004Se 晶体尺寸较大,此晶体也表现出良好的稳定性和可重复性,进一步证明了该方法在大规模生产和商业应用方面的可行性。作者以高效 Pb1.004Se 晶体为基础,以金属镍为阻挡层,制作了一个单腿器件,并使用商用微型 PEM 仪器估算了其在不同温差(ΔT)下的转换效率。果表明,在 ΔT 约为 420 K 时,单腿器件的最大 η 约为 11.2%,峰值输出功率约为 89 mW。


7.jpg

图6. 添加0.08 mol% Cu的n型Pb1+xSe晶体的声子输运、ZT和发电性能。


作者通过基于网格化策略的成分控制,开发出了用于制冷的高效 n 型 PbSe 晶体热电技术。在添加了 0.08 mol% 铜的 Pb1+xSe 晶体中,自补偿铅通过占据固有的铅空位大大降低了缺陷浓度,从而促进了载流子的传输,并在较宽的温度范围内实现了超高的载流子迁移率和功率因数值。宽范围的热电性能大大提高了整体发电性能,在ΔT 为 420 K 时实现了约 11.2% 的峰值转换效率。通过将 n 型 Pb1+xSe 与之前开发的 p 型 SnSe 晶体耦合,作者构建了一个基于硒化物的七对热电冷却装置。该装置具有很强的冷却能力,在环境温度下的ΔTmax 约为 73 K,理论最大 COP 约为 10。作者证明了网格细化策略在开发更好的热电冷却器方面的有效性,此硒基高性能材料和器件在热电冷却方面具有潜在的应用前景。


共同参与此项工作的有:北京高压科学中心高翔教授课题组、昆明理工大学葛振华教授课题组、郑州大学王东洋研究员、太原科技大学宿力中教授。此项工作主要得到了国家自然科学基金基础科学中心项目(52388201)、国家自然科学基金自由探索专项项目(52250090)、国家自然科学基金(52002042、51571007、51772012、12204156)、北京市杰出青年基金(JQ18004)、111引智计划(B17002)、国家杰出青年基金(51925101)、腾讯探索奖、中国博士后科学基金(2023T160037、2023TQ0315、2023M743224)、中国博士后创新人才计划(BX20230456)等项目的资助,北京航空航天大学高性能计算中心的支持。

标签: 导热界面材料 点击: 评论:

留言与评论(共有 0 条评论)
   
验证码: