呵呵,我也是新手,相互学习。
下面是我的一些看法:
1. 如果一个元件在实际设计过程中存在温度过大的风险,就需要建detail模型去monitor其温度;如果根据类似产品实际点温(经验累积),设计计算,根本不可能存在温度过高问题,就没必要去关心其模拟温度。
2. 如果要建detail模型,需要知道芯片的结构,可以问一下芯片厂商看他们有没有好的建议(不过这一般是商业秘密,只能粗略地给你),或有建好的模型提供给你。
3. 觉得楼主的grid cell设置与我所了解的有点差异。一般是热流密度大的地方需要加密网格,有热源的元件在各个方向上的网格数至少在5个以上。看到模型中挻多没热源的地方的网格都设置得挻密的(不知是不是楼主所给的是个简化了的模型)。
4. 模拟的温度还跟Power Loss的设值有关,说不定是对元件模型设的损耗远远高于实际值。
5. 另不知道模型设定的环境条件(如环境温度等等)是不是与实际点温时一致。
请批评,指正。
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