半导体材料的电子和空穴质量

Material          Electron Mass                Hole Mass
ALAs                    0.1  
ALSb                   0.12                       mdos=0.98
GaN                     0.19                       mdos=0.60
GaAs                   0.067                m1h=0.082,mhh=0.45
GaP                     0.82                        mdos=0.60
GaSb                  0.042                       mdos=0.40
Ge              ml=1.64,mt=0.082     m1h=0.044,mhh=0.28
InP                     0.073                        mdos=0.64
InAs                    0.027                        mdos=0.4
InSb                     0.13                         mdos=0.4
Si                 ml=0.98,mt=0.19          m1h=0.16,mhh=0.49