摘 要：介绍了制备InP单晶材料的主要方法，包括传统液封直拉技术（LEC）、改进的LEC技术、气压控制直拉技术（VCZ/PC－LEC）/垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VB）等。对这些方法进行了分析和对比，指出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素。
InP是最早被制备出的Ⅲ－Ⅴ族化合物。随着当前光纤通信和高速电子器件以及高效太阳能电池的快速发展，InP的一系列优越性得以发挥，也引起人们越来越多的关注。
现代石英光纤在通信中最小的损耗是在1.30～1.55 |
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