求救！一个自然对流的问题

我最近正在做一个课题，关于一个75W的VDMOS器件散热问题，TO—3封装，是和电控一起合作的，但是我本身是学热能，我们负责搞散热，可是我对电力一点也不懂，他们测得的数据是裸管在自然对流条件下温度为90多度，但是我用icepak模拟的温度竟然达到500多度，这是怎么回事啊？？我是这样模拟的，把器件简化成一个长方体的block（因为TO-3是菱形我不会建立，所以简化为长方体），然后定义一个足够让自然对流充分发展的求解域，六面开孔，打开了重力和辐射。我觉得这应该是一个挺简单的模型，是不是有那些因素我没有考虑到啊，或者简化的不合理？请各位大侠帮我分析一下吧，今天在外面没法传附件，要是要是需要的话我可以把附件传上来，事关毕业大论文，请大家多帮帮忙，急 ，呜呜，谢谢各位了啊

PCB有没有建进去？还有你Block的材料怎么设的
这种封装的器件主要靠底板散热，一定要把板建出来

同楼上， 另外再重新校核功率，实际功率和最大功率有时差很多，特别是mos管，你可以把功率和封装尺寸写出来（我对？TO-3不了解），大家手工算一下就知道了。

MOS 管的功耗很容易测试，只要测试DS流过的电流 根据Rds就可以算出来了

能不能请教一下怎么算啊，这个我一窍不通啊，不过电控他们给我的数据是这样的：
设计所选器件为VDMOS管，TO-3封装，总功率耗散75W，所加漏源电压为7.5V，栅源电压为4.5V左右，ID＝0.8A，功耗为75w，结温tj＝－55～150℃，内热阻Rjc＝1.67K/W
有这些参数可以算吗？

我没有建立PCB，因为他们测的是裸管的温度，据说就是在栅极和漏极接了两根线加了电压让它工作的，所以我在建模的时候也没有间PCB，直接把那个器件简化成一个长方体了 没想到误差竟然那么大，我的block是纯铝的，导热率好像是205应该是挺高的了，是不是我简化的有问题啊，我现在也没搞明白