MOS功耗计算

请教各位MOS功耗计算，
电源板输入功率200W，效率85%，电压220V
在MOS管规格书中Drain-source on-state resistance栏中知道MOS管的电阻为0.2欧，
Gate-source voltage栏中知道MOS管的开启电压为3V

哪么MOS管的功耗，我能不能这样计算
导通功耗P=（200/220）*3+0.2*（200/220）平方

这个导通电流我觉得这样算不对，但是电源工作的时候如何知道通过MOS管的电流？

你这个计算式怎么来的？感觉有点怪呢？功率和电压的比值，这个代表的是什么呢？

功率和电压的比值
这个是电源板的输入电流

  这个简单的物理公式我都没有想到，不过这个针对的是整个电源板的电流，mos管和mos管之间，mos管和其他元器件之间都是串联的吗？电流都是这个值吗？

像这样的功率管，如果不知道通过的电流怎么知道功耗呢，看过一些资料都是估算值，但是规格书上面又没有电流这个值，根据什么估算呢

做电源的前辈一定会有遇到这样的问题，大家指点一下，谢谢了

真正算起来不是那么简单,但可以大致的计算一下!

楼主的朋友，如何大致计算一下的

同问，这是困扰很多人的问题，希望大神解答一下，感激不尽

从楼主给定的输入输出参数以及MOS的参数来看，是无法计算得到MOS的损耗的。
输入输出参数并非是MOS的工作参数。比如200W和220V输入，并不是MOS的负载和输入电压。
从做开关电源的角度来说。这个电源一定是带有PFC，也就是功率因数校正电路。
假设所求的MOS管为DCDC部分的开关管，而且拓扑结构为反激（这里还真可能不是反激拓扑。。），那么MOS的Vds电压为400V.而其电流大小或者说波形确实不得而知的。这与其拓扑结构和磁性元器件参数的选择相关。
而MOS的损耗主要包含3个部分：
导通损耗，也就是通态损耗，计算方法也就是Ids_rms^2 * Rds_on，ds电流的有效值乘以导通电阻，而导通电阻是和Vgs和温度相关的函数。精确的值需要读规格书的图表求得。
开通损耗和关断损耗，这个损耗和频率成正比。开通损耗或者关断损耗的具体计算是: f*[积分号(上限是周期T，下限是0) Ids(t) * Vds(t) dt ]
还有驱动损耗：2*Vgs*Qg*f，一个周期内有开通和关断的驱动各一个。