兄弟们帮我看下，这个芯片结温安全吗？

现有一手机充电MOS管，MOS管用来控制导通和电流，实际使用时通8S断1S,可以认为一直导通，充电电流是稳定的，为0.4A-0.8A中的某个值,MOS管上压降1.3V，由P=U*I算出热功耗在0.52-1.04W之间，该MOS管贴在手机PCB上，手机PCB板大小90*45*1mm，在ICEPAK中法向和水平方向导热系数为27和0.38左右。
兄弟们帮我分析下，这个MOS管在我上面说的使用环境中，多大的电流范围内是安全的？
实际测试时，发现封装上表面温度可达到70度，那么结温是多少啊？看了一些资料说，结温和引脚或者封装上表面温度很接近，那应该比70度也高不了多少吧？
我也看了该MOS管的资料，但里面给的热学参数都是在特定情况下测得，只用比较意义，如果用来计算，误差太大。
我也附上该MOS管的DATASHEET.

si5853ddc.pdf (456.32 KB)

看了Spec，人家给出了热阻Rjf=33，建议你可以测量引脚的温度而不是芯片表面的温度
在Maximum Power Dissipation (MOSFET)栏看到，Tc=70

测试时环境温度是25度左右。电流是恒定的，这一点可以确定，电压是分压后理论推算的。
我要求的工作温度是25-45度，你帮我看下，这个芯片能不能用，有多大余量。
你上面的分析，推算了一些东西，但没告诉我有用的信息啊。2# liyumaster

你的通电时间是t=8>5,认为就是稳态情况了，那么Rja=130
你的最高环境温度是Ta=45，那么你的最大热功耗只能为P=（150-45）/130=0.807W
如果你的热功耗是0.52-1.04的话，所允许的最大值刚好处于中间，恐怕这个芯片在没有任何散热手段下是不能使用的吧，你只能通过增加散热器来降低Rja了

有一篇关于MOS管热功耗计算的文章，你可以看看
好像作者是从RDS着手来计算热功耗的，需要知道输入输出电压以及电流
希望会对你有帮助

大电流便携式DC-DC变换中MOSFET功耗的计算.pdf (270.36 KB)

几位的讨论很有收获