LED 封装的热阻到底在哪里？

1W 平面大功率LED ，热阻一般在6C/W 以上，甚至达到10C/W，
其中铜热沉热阻不过 1C/W左右，芯片与铜热沉间涂银胶，导热系数25W/mK，热阻也不超过1C/W，那么其余的热阻在哪里呢，芯片本身吗？迷惑中 ～
LED 结构.JPG (38.59 KB)

晶片本身, 接觸熱阻, 擴散熱阻, 最重要的是你的熱阻定義是從哪裡到哪裡.

从结点（比较模糊，因为LED 热阻测试是根据LED PN结电压与温度的关系来推算温度的），到热沉底面。

芯片与热沉间涂银胶，接触热阻应该不会太大，扩散热阻当然也不会很大，晶片本身氮化镓导热系数350，导热

热阻应该也还好，可能是三者累加后造成了这么大的热阻阿？


晶片本身氮化镓GaN 导热系数查到是 65.6 W/m-K !!!

不是很了解。。。。。。

主要熱阻是在芯片PN結底部有一層sapphire,其熱阻大約2.86C/W(100微米厚度),銀膠的熱阻比較大﹐約10C/W(10微米厚度)﹐所以這樣的話就可以知道其熱阻主要是在這兩個部分啦﹐目前有一种方式就是盡量使得
sapphire磨薄﹐還有就是選擇更好的metal和lead frame結合材料。

谢谢楼上

如果芯片尺寸为0.2mm*0.2mm，银胶导热系数25，按照下式计算的温差确实是10C，看来芯片的尺寸对热阻影响很大！

那么sapphire 的 尺寸及导热系数是多少呢？
银胶热阻.JPG (13.38 KB)

如果 sapphire 的导热系数是25.2，尺寸1.1mm

顶啊
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高深，学习了，谢谢