关于瞬态分析的一个实例请教

  

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铝基板，厚度2mm，长宽约120X100mm
插头的两个pin分别通的电流是70.5sin（t）和70.5 sin（t+120），顺序不限
电感的绕线也是70.5sin（t）
3个MOSFET的体发热功率分别按照如下的时间规律设置：
均为10w的间歇方波，依次分别延迟120秒并无限循环下去


  

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求仿真自然对流，系统热稳定时的状况
主要问题请教：
1.
如何确定在EFD中要仿真的物理时间，尽量接近系统热稳定的时间，不希望设置一个无限长的时间来浪费计算机资源？
2.
如何在EFD中表达这几个MOSFET的发热规律，貌似EFD中可以表达的函数关系很少？
3.
仿真的结果要能够看到每一秒钟的热分布情况。
图面不清楚的，麻烦高手看看附件是的文档，O(∩_∩)O谢谢  
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没有人回答呀？只好自己也摸索一下了
个人的实践情况（Intel 双核2.0G，2G内存）：
    1.默认系统的网格划分等级为3级，MOSFET的发热就按照在设定的物理时间内分段设定。
    2.把仿真的物理时间定为1200s，开始仿真，发现计算机的每次迭代时间为8~14s，每次迭代运算的物理时间仅为约0.2s，预计仿真结束需要（1200/0.2）*14/3600=23.33h。仿真12小时也只运算了约55%，铝基板的平均温度约为78℃，计算资源消耗太大，也没有达到系统的热平衡状态。
修改参数：
    把上述的MOSFET发热规律改为沿时间轴方向的1/10，对应的延迟时间也由120s变为12s（也是同样为周期无限循环关系），仿真的物理时间设为120s，需要预算约2小时，铝基板的平均温度约为38℃，计算资源消耗仍然很高，也没有达到系统的热平衡状态。

问题是：
    1.物理的仿真时间要如何制定才合理？
    2.如何设置让运算时单次迭代的仿真时间不是约0.2s而是设为1s等数值，以便加快仿真？

TOTO 发表于 2011-5-1 09:09
没有人回答呀？只好自己也摸索一下了
个人的实践情况（Intel 双核2.0G，2G内存）：
    1.默认系统的网 ...

你的发热规律是一个个手动输入的吗？
感觉很麻烦亚