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标题: 先仿出来壳温，再加上结壳热阻乘以热耗最终等于芯片结温? [打印本页]

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 15:56
标题: 先仿出来壳温，再加上结壳热阻乘以热耗最终等于芯片结温?
各位大神，有个问题想咨询一下

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 15:59
做热仿真的时候，我先仿出来壳温，然后再加上结壳热阻乘以热耗的出来的温升，最终等于芯片结温

作者: kummel 时间: 2016-11-7 16:00
可以这样说

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:00
但是现在遇到了一个，热耗是116，热阻2，他们的乘积都是232度，已经大于芯片能承受的结温228度了

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:01
我的理解是，即时我的壳温是0度，那么芯片结温也不会满足要求了，

作者: kummel 时间: 2016-11-7 16:01
谁说热耗是116

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:01
更何况环境下温度是70度

作者: kummel 时间: 2016-11-7 16:01
只是说功率是116

作者: kummel 时间: 2016-11-7 16:01
你这是什么芯片

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:02
图片上的PDISS啊

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:02
TGA2239

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:02
实际的工作条件跟工况3差不多

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:03
仿真出来都有170多度了

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:03
再加上温升，该有400多了

作者: Hard 时间: 2016-11-7 16:03
像这种芯片，你建模是建的？

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:03
感觉跟实际情况不符合

作者: Hard 时间: 2016-11-7 16:03
就给了一个热阻

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:03
不是

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:03
我是给了热耗

作者: Hard 时间: 2016-11-7 16:03
建的块嘛？

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:04
然后仿真出来跟它接触的腔体的壳温

作者: kummel 时间: 2016-11-7 16:04
要和硬件确认热耗，表格给的是功耗

作者: Leonchen 时间: 2016-11-7 16:04
有热阻的话，为啥不建热阻模型呢

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:05
和他们确认了，他们还要在这个基础上高些，达到了146度

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:05
双热阻模型？

作者: Hard 时间: 2016-11-7 16:05
这种芯片怎么建双热阻模型呢？@深圳 - Leonchen

作者: Hard 时间: 2016-11-7 16:05
只给一个热阻值

作者: cyxde88 时间: 2016-11-7 16:12
输入功率27dbm=500mW，输出功率47dbm=50W？

作者: kummel 时间: 2016-11-7 16:13
所以这个要和硬件确认，实际的热功率

作者: Marco 时间: 2016-11-7 16:14
@深圳-kummel 电功耗转热功耗？

作者: Marco 时间: 2016-11-7 16:14
芯片级的不懂怎么搞/快哭了，不是学电子的

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:14
跟他们确认，输入28V，7A

作者: Marco 时间: 2016-11-7 16:15
28*7＝？W

作者: kummel 时间: 2016-11-7 16:15
输出呢

作者: kummel 时间: 2016-11-7 16:15
这个又不是全转为热功率

作者: 小明_9y3nl 时间: 2016-11-7 16:15
有效率的嘛

作者: cyxde88 时间: 2016-11-7 16:15
输出50W吧

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:15
对

作者: 小明_9y3nl 时间: 2016-11-7 16:15
按效率

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:15
输出50

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:16
28*7=196

作者: kummel 时间: 2016-11-7 16:16
意思是热功率有146W=196W-50W

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:16
是啊

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:16
他们非常确定的告诉我

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:16
但是我又不是很懂电路

作者: cyxde88 时间: 2016-11-7 16:17
看看转化效率

作者: Marco 时间: 2016-11-7 16:17
那直接输入Q＝146就可以了吧

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:17
所以按照我自己的理解，就是不用仿真结温就超了

作者: cyxde88 时间: 2016-11-7 16:17
应该没有这高

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:17
热耗按146 结壳热阻2

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:18
这样子就有292度

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:18
环境温度70

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:18
所以我在想是不是我的理解出了问题

作者: liuhx 时间: 2016-11-7 16:18
还没开始芯片就烧掉了

作者: cyxde88 时间: 2016-11-7 16:19
热耗是不是应该Pdiss-Pout

作者: liuhx 时间: 2016-11-7 16:19
@深圳-kummel 你现在专业搞热设计么

作者: blk 时间: 2016-11-7 16:20
这是的灯泡吧

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:22
这是功放

作者: Marco 时间: 2016-11-7 16:22
热阻2C/W,还跟另一个参数有关吧

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:22
所以输出比输入高

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:25
哪个参数？

作者: kummel 时间: 2016-11-7 16:30
这个芯片怎么这么薄？

作者: Marco 时间: 2016-11-7 16:30
0.1mm?

作者: chen 时间: 2016-11-7 16:31
请教一个问题，像所有表面都有东西包住的物质，那此物质应该不用计算辐射系数吧？

作者: cyxde88 时间: 2016-11-7 16:31
维基百科上关于CPU Power Dissipation的定义Central processing unit power dissipation or CPU power dissipation is the process in which central processing units (CPUs) consume electrical energy, and dissipate this energy both by the action of the switching devices contained in the CPU (such as transistors or vacuum tubes) and by the energy lost in the form of heat due to the impedance of the electronic circuits.

作者: 牧 时间: 2016-11-7 16:32
看结构形式吧，有可能也要考虑

作者: Wind 时间: 2016-11-7 16:32
真好，还有一个小时就进入加班了

作者: chen 时间: 2016-11-7 16:33
mos管内部的铜片要考虑辐射吗？

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:49
我想，应该热阻是随着功率的不同而改变的？

作者: Marco 时间: 2016-11-7 16:51
不是吧，热阻是它的物理特性，怎么会随功率而改变呢？

作者: Leonchen 时间: 2016-11-7 16:52
@深圳-chen 不用考虑。

作者: Leonchen 时间: 2016-11-7 16:52
辐射是表面属性，过程发生在表面，被别的东西包住，相当于表面不漏出来了。所以不用考虑了。

作者: chen 时间: 2016-11-7 16:52
好，谢谢！

作者: Leonchen 时间: 2016-11-7 16:55
@成都 - 喀秋莎从根本上理解，热阻其实就是导热系数的宏观表现，理论上讲热阻肯定不会随着功率变化而变化。但由于是一个综合系数，当功率变化，传热路径可能会有所变化，测试所得的热阻值，也就变化了。

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:55
嗯，我就是看这个图上，三种测试状态下的热阻都不一样

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:56
应该就是那样子，影响因素比较多

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:56
然后导致测试值有变化

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:56
@深圳 - Leonchen 谢谢

作者: Leonchen 时间: 2016-11-7 16:56
你上面这个图片，是描述的同一个芯片么

作者: Leonchen 时间: 2016-11-7 16:56
客气啦

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:57
是的啊

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:57
就是不同的测试条件下

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:57
但是第三种更接近我们真实要用的状态

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 16:58
所以就发生了最开始的那个问题，也就是热耗乘以结壳热阻大于结温的情况

作者: Jason1028 时间: 2016-11-7 17:00
这都不算啥，正常阻抗还和时间有关呢

作者: Jason1028 时间: 2016-11-7 17:00
是一条随时间变化的曲线

作者: Jason1028 时间: 2016-11-7 17:01
你可以看看IGBT的

作者: Jason1028 时间: 2016-11-7 17:01
都是曲线

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 17:01
嗯嗯

作者: kummel 时间: 2016-11-7 17:03
总觉得这个功率不是热功率？找芯片厂商问一下吧

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 17:03
但是问题是如果这样的话，我根据理论计算出的数值就不满足要求了

作者: Leonchen 时间: 2016-11-7 17:04
建议和厂家沟通其散热情况。

作者: 流云 时间: 2016-11-7 17:04
@成都 - 喀秋莎这个妹纸貌似跟我是同行

作者: 流云 时间: 2016-11-7 17:05
/呲牙

作者: Jason1028 时间: 2016-11-7 17:05
这个是热功耗，但是估计和你的实际应用条件不同

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 17:05
这个芯片是直接用螺钉固定在底座上的

作者: 流云 时间: 2016-11-7 17:05
@深圳 - Jason1028 芯片跟我发给你的PDF是差不多的

作者: 喀秋莎 时间: 2016-11-7 17:06
硬件的工程师也跟我是这么说的，他们直接用螺钉拧在结构上

作者: 流云 时间: 2016-11-7 17:06
@成都 - 喀秋莎你这芯片不是封装芯片吧

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