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标题: 半导体材料的电子和空穴质量 [打印本页]

作者: 烟火 时间: 2011-5-1 09:09
标题: 半导体材料的电子和空穴质量
Material       Electron Mass             Hole Mass
ALAs                   0.1
ALSb                0.12                      mdos=0.98
GaN                   0.19                      mdos=0.60
GaAs                0.067             m1h=0.082,mhh=0.45
GaP                   0.82                      mdos=0.60
GaSb                0.042                      mdos=0.40
Ge             ml=1.64,mt=0.082    m1h=0.044,mhh=0.28
InP                   0.073                      mdos=0.64
InAs                   0.027                      mdos=0.4
InSb                   0.13                      mdos=0.4
Si                ml=0.98,mt=0.19       m1h=0.16,mhh=0.49

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