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标题: InP单晶材料现状与展望 [打印本页]

作者: 散热 时间: 2011-5-1 09:09
标题: InP单晶材料现状与展望
摘要：介绍了制备InP单晶材料的主要方法，包括传统液封直拉技术（LEC）、改进的LEC技术、气压控制直拉技术（VCZ/PC－LEC）/垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VB）等。对这些方法进行了分析和对比，指出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素。

InP是最早被制备出的Ⅲ－Ⅴ族化合物。随着当前光纤通信和高速电子器件以及高效太阳能电池的快速发展，InP的一系列优越性得以发挥，也引起人们越来越多的关注。

现代石英光纤在通信中最小的损耗是在1.30～1.55

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