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标题: 关于热损耗功率如何加载的问题 [打印本页]

作者: 有没有 时间: 2011-5-1 08:32
标题: 关于热损耗功率如何加载的问题
问一个问题，模拟芯片的结温，大家是把热损耗功率加在芯片体上么？可是实际情况是芯片中的管芯发热，也就是热损耗在管芯处。

比如一块芯片大小是3.6mm*4mm*0.08,可管芯大小只有0.15mm*3.6mm，我把热损耗功率加在管芯处，温度高的离谱，请问到底该
如何处理？

非常感谢！！

作者: 小怪兽 时间: 2011-5-1 08:32

物理模型儘可能接近實際情形。

作者: 唱国歌 时间: 2011-5-1 08:32

以hot spot條件為主

作者: 快乐的 时间: 2011-5-1 08:32

所謂模擬（或者說仿真），就是儘可能接近真實物理狀況。如果對 Power 設定很講究的話，向晶片廠要求 Power Map Data。Intel 的一些晶片就有提供（不是直接在 Model 裡，是在另外的文件）。

作者: homeland 时间: 2011-5-1 08:32

應該是你的功耗計算錯誤~

作者: 阳光下 时间: 2011-5-1 08:32

請問power consumption?

作者: 凹凸曼 时间: 2011-5-1 08:32

系統模擬中，由HW提供元件輸入電壓與電流 ( 可得最大輸入功率)
再由最大輸入功率，依據元件特性設定熱損耗功率 ( 熱損耗功率並不等於最大輸入功率)
熱損耗功率:1. 經驗值設定
2..由實際樣品做實驗測量溫度在用模擬反推功率設定

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