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标题: 散热器仿真问题请教 [打印本页]

作者: jinwenchao8 时间: 2019-12-24 09:40
标题: 散热器仿真问题请教
想请教坛子里的Flotherm前辈，最近仿了一个芯片加散热器的仿真，但是散热器和芯片接触面有700°，散热器其他地方却是低温。想请高手帮忙看看是不是哪除了问题？
图片是散热器的单独的visual editor视图，只有与芯片接触面是红色的。附件是模型。

作者: Leonchen 时间: 2019-12-24 20:58
这种情况通常是导热系数赋值错误

作者: Arno 时间: 2019-12-25 09:02
你一个40*40*3.5mm的芯片，赋值功耗35W？散热片只有用50*50*23mm，而且还是被动散热，芯片的热流密度和体积功率密度都超过了被动散热的能力。建议增加一个风扇吧。

作者: jinwenchao8 时间: 2019-12-25 19:27

Leonchen 发表于 2019-12-24 20:58
这种情况通常是导热系数赋值错误

能帮我看看模型吗？应该只有芯片的high z surface设置了一个导热硅脂的导热系数。
芯片用的是2R模型。

作者: jinwenchao8 时间: 2019-12-25 19:30

Arno 发表于 2019-12-25 09:02
你一个40*40*3.5mm的芯片，赋值功耗35W？散热片只有用50*50*23mm，而且还是被动散热，芯片的热流密度和体积 ...

我是初学，这是做的一个实验，造成仿真结果不对，应该不是散热器设置太小造成的吧。实际却是肯定不能用这么小的散热器。

作者: hank0301 时间: 2019-12-29 11:29
以硅脂的熱阻設定，導致散熱器與晶片之間的溫差達到400度，建議另外加個cuboid來代替
以厚度0.1mm, K=2來計算，兩者之間溫差降低到2度，這才是你預期的結果吧

作者: jinwenchao8 时间: 2019-12-30 17:46

hank0301 发表于 2019-12-29 11:29
以硅脂的熱阻設定，導致散熱器與晶片之間的溫差達到400度，建議另外加個cuboid來代替
以厚度0.1mm, K=2來計 ...

好的，我试试用cuboid替代surface设置来建模TIM。不过我看用surface来建模TIM这种方式应该是很常用的。是不是我设置的参数设置错误而导致

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