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标题: 关于热设计电源模块的一些问题,与大家讨论 [打印本页]

作者: 花花世界 时间: 2011-5-1 09:01
标题: 关于热设计电源模块的一些问题,与大家讨论
1. 一个用立方体做的模型,上面赋予一定瓦数热量后,其周围环境(比如说距离芯片表面正上方1mm处,) 与将这个芯片做成详细模型,其他条件不边会有什么差别呢?
2. 一块单板总功耗120W，但是上面的核心芯片TDP功耗才有80W，为了仿真能比较真实的监测到进风口和出风口温度，一般要求将单板的功耗扩展到120W时，怎么扩展呢，我的做法是给PCB上附一个均匀的薄层，让其有40W的功耗。
还有什么好方法没有啊？
3. 对一些电源模块，有6W的热耗散，但是一个砖块电源怎么能更深一步去做这样的模型呢，我一般是设置成一个立方体，还有什么好方法没？

作者: 时间定格 时间: 2011-5-1 09:01

1.原则上是没有差别的！
2.做个体积Source，赋予40W。
3.采用体积Source和Resistance简化模型，但其中参数不易得到！！

作者: 绿丝绦 时间: 2011-5-1 09:01

1. 不一定。要考慮封裝特性與實際應用。
2. PCB 上直接給 40W
3. 不知道你電源模塊長怎樣。簡化模型看整體影響，詳細模型看細部行為。

作者: 9738 时间: 2011-5-1 09:01

1.我个人认为还是有细微的差别
2.做个体积SOURCE，放在核心芯片下风方向
3.我以前做过victor电源模块，其底部有个大的铝板，内部就是一些电容，电路在这个铝板上，建模型还是设置一个长方体吧

作者: ADDA 时间: 2011-5-1 09:01

3. 对一些电源模块，有6W的热耗散，但是一个砖块电源怎么能更深一步去做这样的模型呢，我一般是设置成一个立方体，还有什么好方法没？
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电源模块的热设计，主要是控制其中的主要功率MOSFET的温度，器件的位置和损耗分布都对结果有很大影响。如果你想建详细模型，首先需要知道模块内部器件的损耗分布，这需要和模块制造厂商联系。
几何模型只要建Pin，PCB，原副边MOSFET和Core。损耗主要分布在MOSFET和core上，MOSFET 结温和封装关系很大，现在基本为Powerpak加强散热的封装，如果你建简单模型，材料热阻取20W/m-K；Core的材料热阻取10W/m-K，其它损耗平铺在PCB上。PCB热阻取20～30W/m-K,Pin一般为Brass或者copper。这样整体网格也不多，结果相对比较有参考价值。

作者: kamui 时间: 2011-5-1 09:01

2.PCB上给40W，一般会导致PBC的温升比实际的高。给一半差不多

作者: 小甜甜 时间: 2011-5-1 09:01

將 40W 均勻給在 PCB 板上，只能看對系統整體的影響（下游），無法針對 PCB 去探討。這是數值模擬無法避免的問題。詳細模型網格多計算時間長，簡化模型無法做細部的探討。

作者: 少年梦 时间: 2011-5-1 09:01

不光是对PCB本身的影响，PCB功耗赋值太大，会导致整个PCB上的芯片从top面与从bottom面散失的功耗的比例产生变化，从而影响仿真的精度

作者: 6sigmaET 时间: 2011-5-1 09:01

本人新手，您可否详细解释下呢？

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