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标题: 对功率器件的简单建模(MOSFET)？？？！！！ [打印本页]

作者: 烟火 时间: 2011-5-1 09:00
标题: 对功率器件的简单建模(MOSFET)？？？！！！
小弟是做开关电源的，最近准备装机，就学了一下flotherm软件。
我想对功率器件建模，一般功耗都至少有几瓦，问一下：
下面的建模方法是否合理(以MOSFET为例)？
首先建一个cuboid，按照MOSFET尺寸确定大小，material选为silicon(pure)；thermal菜单新建一个相应功耗的热模型，attach to cuboid；MOSFET底部与散热器相贴的部分可以传递热量并导电，我另建一个cuboid，压扁，material暂选为aluminum（pure），我没办法确定是aluminum还是copper(pure)，相信这个影响不大
另外底部的导热部分直接选择cuboid的surface finish，选择aluminum(pure)，并注意选择下地面，这种方法我想也是可以的。

请各位高手指点，不吝赐教！

作者: 最凉 时间: 2011-5-1 09:00

你建立的mosfet仿起来可能不准吧，我们建模之前都有拆过，不知道你有没有这个条件，拆了去看下。把mosfet分为四个部分，外层是塑胶的K=4 后背贴着一层AL base，下面的脚是Cu 在mosfet中央还有一个die材料是Silicon 尺寸准的话仿起来还是蛮准的，外观效果也不错希望对你有帮助

作者: cliffcrag 时间: 2011-5-1 09:00

楼上的能不能更为详细地讲解一下过程，不甚感激。
我是新手

作者: 时间定格 时间: 2011-5-1 09:00

呵呵过程？
你按照mosfet的尺寸，其他的全部用cuboid建立，只是材料的设置不一样而已。你会简单的应用了，应该就能建立出来了。

但是对于体积很小的Mosfet，如果详细建模可能导致网格数据增，所以如果block或者cubiod囊满足要求的话还是用简化模型比较好，重要的是怎样将详细模型等效成简化模型，注意的是这里的简化模型尺寸和详细模型可能不一样，要自己先算一下等效热阻或者导热系数

按照lxh2522的模型我新建了MOSFET，和我以前直接用硅片的方法进行比较，因为我是风冷的，发现温度差别不大，而且简化的仿真速度远快于复杂的' R$ `. F! q8 p" E' |
因此，现在就用简化模型优化散热器了。

作者: 天天向上 时间: 2011-5-1 09:00

什么封装的？有些mosfet的pdml模型是可以下载的

作者: cliffcrag 时间: 2011-5-1 09:00

LS，TO-220封装的

作者: 少年梦 时间: 2011-5-1 09:00

请问geminilele:
模型在哪下载，我不能用flopack，能给我下载一个TO-220的模型吗
尺寸1.5cm*2cm*5mm

作者: 热热热 时间: 2011-5-1 09:00
标题: mosfet.pdml

这个是我们建立的模型，你看看

mosfet stand.rar (1.73 KB)

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